Мощный полевой транзистор производства компании Infineon Technologies. Чип имеет управляемый N-канал и обладает низким сопротивлением проводимости, что обеспечивает низкие потери мощности при прохождении тока через транзистор. Широко используется в различных электронных устройствах: блоки питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления электроэнергией и другом оборудовании.

Даташит

• Максимальная рассеиваемая мощность: 429 Вт
• Предельно допустимое значение сток-исток: 40 В
• Предельно допустимое значение затвор-исток: 20 В
• Пороговое значение включения: 4 В
• Максимально допустимый ток: 300 А
• Максимальная температура: 175 °C
• Выходная емкость: 3790 пФ
• Тип корпуса: PSOF8